Семинар

Квазидвумерные системы играют важную роль при создании различных устройств для нужд наноэлектроники. Очевидно, что функциональная эффективность таких систем зависит от их структурных свойств, которые могут изменяться при фазовых переходах под действием внешних условий (например, температуры). До настоящего времени основное внимание было сосредоточено на поиске сигналов фазовых переходов в континуальных двумерных системах. Одним из центральных вопросов в таких системах является анализ условий зарождения гексатической фазы, которая сопровождается появлением дефектов в вигнеровской кристаллической фазе при некоторой температуре. Однако, для современных наносистем возникает как практический, так и фундаментальный вопрос о критическом числе электронов, при котором начнет происходить нарушение симметрии кристаллической решетки в рассматриваемой системе и, как следствие, зарождение дефектов. В работе исследованы зависимости ориентационного параметра порядка и корреляционной функции, характеризующие топологические фазовые переходы, как функции числа частиц при нулевой температуре. Результаты расчетов позволяют установить признаки фазового перехода «гексагональная решетка – гексатик-фаза» для N=92,136,187, рассмотренных в качестве примера.